VS-GT200TS065N
produsen:
Vishay General Semiconductor - Divisi Dioda
Deskripsi:
MODUL IGBT - IAP IGBT
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
193 A
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Kotak
Seri:
FRED Pt®
Paket / Kasus:
Modul
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 200A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
650 V
Paket Perangkat Pemasok:
IGBT INT-A-PAK
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisi Dioda
Arus - Batas Kolektor (Maks):
100 µA
Tipe IGBT:
Parit
Daya - Maks:
517 watt
Input:
Standar
Suhu operasi:
-40°C ~ 175°C (TJ)
konfigurasi:
Inverter Setengah Jembatan
Termistor NTC:
Tidak.
Pengantar
IGBT Modul Trench Half Bridge Inverter 650 V 193 A 517 W Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: