FF200R12KT3EHOSA1
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
MODUL IGBT 1200V 1050W
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Batas Kolektor (Maks):
5 mA
Status Produk:
Tidak Untuk Desain Baru
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Tray
Seri:
C
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200 V
Paket Perangkat Pemasok:
Modul
Mfr:
Teknologi Infineon
Suhu operasi:
-40°C ~ 125°C
Daya - Maks:
1050 watt
Tipe IGBT:
-
Paket / Kasus:
Modul
Input:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
14nF @ 25V
konfigurasi:
2 Mandiri
Termistor NTC:
Tidak.
Nomor produk dasar:
FF200R12
Pengantar
Modul IGBT 2 Modul pendingin sasis independen 1200 V 1050 W
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: