FS75R07U1E4BPSA1
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
IGBT MOD 650V 100A 275W
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
100 A
Status Produk:
Tidak Untuk Desain Baru
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Tray
Seri:
Paket Cerdas1
Paket / Kasus:
Modul
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
1,95V @ 15V, 75A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
650 V
Paket Perangkat Pemasok:
Modul
Mfr:
Teknologi Infineon
Suhu operasi:
-40°C ~ 150°C
Arus - Batas Kolektor (Maks):
1 mA
Tipe IGBT:
Pemberhentian Lapangan Parit
Daya - Maks:
275 watt
Input:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
4,6 nF @ 25 V
konfigurasi:
Jembatan Penuh
Termistor NTC:
Ya.
Nomor produk dasar:
FS75R07
Pengantar
Modul IGBT Trench Field Stop Full Bridge 650 V 100 A 275 W Modul Chassis Mount
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: