Mengirim pesan
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > FF900R12IP4PBOSA1

FF900R12IP4PBOSA1

produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
MODUL IGBT 1200V 900A
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
900 A
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Tray
Seri:
Paket Perdana™2
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.05V @ 15V, 900A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200 V
Paket Perangkat Pemasok:
Modul
Mfr:
Teknologi Infineon
Suhu operasi:
-40°C ~ 150°C
Arus - Batas Kolektor (Maks):
5 mA
Tipe IGBT:
Pemberhentian Lapangan Parit
Paket / Kasus:
Modul
Input:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
54 nF @ 25 V
konfigurasi:
2 Mandiri
Termistor NTC:
Ya.
Nomor produk dasar:
FF900R12
Pengantar
Modul IGBT Trench Field Stop 2 Modul pendingin sasis independen 1200 V 900 A
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: