DF120R12W2H3B27BOMA1
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
IGBT MOD 1200V 50A 180W
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
50 A
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Tray
Seri:
-
Paket / Kasus:
Modul
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 40A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200 V
Paket Perangkat Pemasok:
Modul
Mfr:
Teknologi Infineon
Suhu operasi:
-40°C ~ 150°C
Arus - Batas Kolektor (Maks):
1 mA
Tipe IGBT:
-
Daya - Maks:
180 W
Input:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
2,35nF @ 25V
konfigurasi:
Inverter Tiga Fasa
Termistor NTC:
Ya.
Nomor produk dasar:
DF120R12
Pengantar
Modul IGBT Inverter Tiga Fase 1200 V 50 A 180 W Modul Chassis Mount
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: