FF200R12KS4PHOSA1
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor Modul IGBT IGBT
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
275 A
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Paket:
Tray
Seri:
-
Paket / Kasus:
Modul
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 200A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200 V
Paket Perangkat Pemasok:
Modul
Mfr:
Teknologi Infineon
Suhu operasi:
-40°C ~ 125°C
Arus - Batas Kolektor (Maks):
5 mA
Tipe IGBT:
-
Daya - Maks:
1400 W
Input:
Standar
Kapasitansi Masukan (Cies) @ Vce:
13nF @ 25V
konfigurasi:
Setengah Jembatan
Termistor NTC:
Tidak.
Nomor produk dasar:
FF200R12
Pengantar
Modul IGBT Half Bridge 1200 V 275 A 1400 W Modul Chassis Mount
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: